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              HMDS預處理系統HMDS-6090

              產品名稱:HMDS預處理系統HMDS-6090

              產品型號:HMDS-6090

              產品分類:HMDS預處理系統

              備注說明:HMDS預處理系統達到真空度:133Pa

              產品描述:

              HMDS預處理系統的必要性:
                  在半導體生產工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節,涂膠質量直接影響到光刻的質量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后,經烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變為疏水,其疏水基可很好地與光刻膠結合,起著偶聯劑的作用。

              HMDS預處理烘箱 HMDS-6090 特點:
              在半導體生產工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節,涂膠質量直接影響到光刻的質量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況

              HMDS預處理烘箱 HMDS-6090 特點:
              1、機外殼采用不銹鋼SUS304材質制造,內膽為不銹鋼316L材料制成;加熱器均勻分布在內膽外壁四周,內膽內無任何電氣配件及易燃易爆裝置。鋼化、防彈雙層玻璃門觀察工作室內物體一目了然。
              2、箱門閉合松緊能調節,整體成型的硅橡膠門封圈,確保箱內高真空度。
              3、微電腦智能控溫儀,具有設定,測定溫度雙數字顯示和PID自整定功能,控溫精確,可靠。
              4、智能化觸摸屏控制系統配套日本三菱PLC模塊可供用戶根據不同制程條件改變程序,溫度,真空度及每一程序時間。
              5、HMDS氣體密閉式自動吸取添加設計,真空箱密封性能佳,確保HMDS氣體無外漏顧慮。
              6、整個系統采用優質材料制造,無發塵材料,適用100 級光刻間凈化環境。

              HMDS預處理烘箱 HMDS-6090 技術參數:
              電源電壓:AC 220V±10%/50Hz±2%
              輸入功率:3000W
              控溫范圍:室溫+10℃-250℃
              溫度分辨率:0.1℃
              溫度波動度:±0.5℃
              達到真空度:133Pa
              容積:90L
              工作室尺寸(mm):450*450*450
              外形尺寸(mm):615*615*900
              載物托架:2塊
              時間單位:分鐘
              選配件
              真空泵:德國品牌,萊寶“DC”雙極系列旋片式油泵,極限真空高,噪音低,運行穩定。連接管:不銹鋼波紋管,完全密封將真空泵與烘箱連接。

              HMDS預處理系統的原理:
                     HMDS預處理系統通過對烘箱HMDS預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。

              HMDS真空烘箱的一般工作流程:
                       先確定烘箱工作溫度。典型的預處理程序為:打開真空泵抽真空,待腔內真牢度達到某一高真空度后,開始充人氮氣,充到達到某低真空度后,冉次進行抽真空、充入氮氣的過程,到達設定的充入氮氣次數后,開始保持一段時間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空,充入HMDS氣體,在到達設定時間后,停止充入HMDS藥液,進入保持階段,使硅片充分與HMDS反應。當達到設定的保持時間后,再次開始抽真空。充入氮氣,完成整個作業過程。HMDS與硅片反應機理如圖:先加熱到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS與表面的OH一反應,在硅片表而生成硅醚,消除氫鍵作,從而使極性表面變成非極性表面。整個反應持續到空間位阻(三甲基硅烷基較大)阻止其進一步反應。

              尾氣排放等:多余的HMDS蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到專用廢氣收集管道。在無專用廢氣收集管道時需做專門處理。

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